WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!


Pages:     | 1 |   ...   | 6 | 7 ||
(а, б), кристаллографическое несоответ- слоя крем- ально го сло я не соответств уют до- ствие разная степень легирования пластины и ния пустимым (б) эпитаксиальной пленки, а также высокий уро- вень механических и термических напряжений (а, б); несоблюдение режима процесса эпитаксии (а,б) Продолжение З таблицы ПОперация Виды дефектов Причины дефектов Примечания Терми- Толщина окисла не соответствует Нарушение температурно-временных режимов Другие дефекты, например, повышен- ческое задан ной (а); нали чие матовости в процесса окислен ия (а), повышенная де- ную пористость, недопустимые элек- окисле- пленках SiO2 (б), наличие разводов, фектность исходной пластины (б, в); несо- трофизические характеристики грани- ние инородных включении (в) блюдение чистоты проводимого процесса (в ча- цы раздела пластин стности, технологической среды) (б, в) Si -SiO:, линии скольжения, коробле- ние пластин контролируют и устраня- ют на этапе отработки технологиче- ского процесса Несов мещен ие то пол о ги ческо го Сбой в раб оте системы ко нтроля точ ности При температуре задубливания более Фотоли- рисун ка более доп устимо го (а); на- совмещения (либо ошибка оператора) (а), де- 145 °С в слое фоторезиста происходят тография рушения геометрии топологических фекты фотошаблона либо загрязнения (б, в, термореактивные превращения, в по слою элементов более д опуст имых ( б), г), нарушение технологии процесса травления результате кот оры х он теряе т SiOналичие недотравленных участков SiO2 (б, в, д); недопустимо большой зазор между способность растворяться в органи- фотошаблоном и пластиной (д, е); наруше- ческих растворителях, что усложня- в зонах травлен ия (в); налич ие мак- родефектов (царапин и др.) в слое SiO2 ние режима проявления (д, е), недостаточная ет удаление использованной маски адгезия фоторезиста к пластине (е, ж); разброс (г), растравливание краев окисла (ши- по толщине слоя фоторезиста более допусти- рина клина травления ) более допус- мого (ж), п остор он ние вк л ючен ия в слое тимого ( д), уход ли ней ных разме ров фоторезиста (в, е, ж) топологических элементов более до- пустимого (е), воспроизводимость размеров контролируемых элементов не соответствует заданной точности (ж) Продолжение 4 таблицы ПОпера- Виды дефектов Причины дефектов Примечания ция Энергия ио нн ого пуч ка превышает требуе - Другие дефекты, например, скопле- Ионное Локально амортизированные участки мую (а), до за облу чения и плот ность тока легиро- в легированных областях (а); удель- ния ва канс ий, дисл окац и и и т.д.

ионно го п учка не соответствую! доп устимым вание ное поверхностное сопротивление не обнаруживают с помощью электрон- значениям (б) крем- соответствует допустимому (б) ной микроскоп ии либо рентге ност- ния с руктурного анализа на этапе отработ- последу ки технологических режимов ионного ющей легирования термо- обра- боткой Разброс по толщине слоя металлиза- Вакуум- Наличие за грязне нии и дефектов на пластине Причины появления дефектов при ции и ps не соответствуют допусти- ное на- перед напылением (а, б, в, г), остаточное давле- вакуумном напылении мо гут также мым (а), структура пленки не соот- пыление ние в рабочей камере выше допустимого (а, б, быть связаны со способом переноса ветствует эталонной (б), адгезионная слоя ме- в), наличие градиентов температуры по поверхматериала металлизации и специфи- прочность менее доп устимой (в);

таллиза- ности пластины (а, б, в); неоптимально выбрана пятна, разводы, инородные вкл ю- скорость оса жде ния (а. б, в), нео пти маль - кой конструкции рабочей камеры ции чения, п устоты, царап ины с ра з- ны энергия и плотность молекулярного потока мерами более до пусти мых на (а, б. в, г) едини цу площади п ластины ( г) Продолжение 5 таблицы ПОпера- Виды дефектов Причины дефектов Примечания ция Фото- Геометрические размеры проводящих Нарушение режима задубливания фоторезиста При вып олнен ии фотол итограф ии лито- э леме нт ов не со отв етств у ют до- особое зна чение имеет чистота ат- (недостаточная его адгезия к проводящему слою) графия пустимым (а), "перемычки" между мосферы производственного помеще- (а): неправильное соотношение компонентов в по ния. Требуется (не хуже 10 или элементами металлизации (недотрав- травителе либо нарушение режима травления (а, слою классов чистоты, так как осаждение ленные участки) с размерами более б);протекание электрохимических процессов в метал- загрязнении (посторонних частиц) из доп устим ых ( б), нес овмеще ние системе А1 - Si - травитель (д); некачественное лиза- атмосферы на объект производства и элементов металлизации с контактны- проявление (а, г); дефекты фотошаблона (а, б, ции фотошаблон приводит к переносу и ми ок нами и другими элеме нтами г); увеличение межоперационного времени хра- суммированию дефектов после экс- структу ры м ик росхе мы более до- понирования фоторезиста и до завер- нения (д), наличие локальных загрязнении и пустимого (в), пустоты или царапины шения технологического цикла с размерами более допустимых на эле- инородных включений, внесенных на начальных операциях фотолитографии и (или) перед на- ментах металлизации (проводящих дорожках, контактных площадках и пылением проводящего слоя (д), отсутствие т.д.) (г), признаки коррозии отслаива- должного контроля точности совмещения (в) ния элементов металлизации(д) Продолжение 6 таблицы ПОперация Виды дефектов Причины дефектов Примечания Осаждение Разброс по тол- Наличие повышенных температурных градиентов на осаж- Параметры, характеризующие изо- межслойно- щине слоя болеедаемой поверхности в процессе формирования данных лирующие и пассивирующие свой- допустимого (а), покрытий (а, б); несоблюдение технологии (а, б); от- ства диэлектрических покрытий, го диэлек- пустоты, царапины, сутствие контроля чистоты материалов технологических оценивают и стараются их опти- трика и за- каналы, кристалли-сред(б) мизировать при отработке тех- щитного ческие включения, нологий осаждения диэлектриче- покрытия инородные вклю- ских покрытий чения с размерами более допустимых на единицу площади пластины(б) Функциональные Функцио- Проявление в присутствии электрического поля эффектов Для повышения качества готовых параметры микро- структур микросхемобычно осу- нальный типа: электромиграции частиц алюминия, дрейфа ионов схемы не соответст- ществляют межоперационный контроль инородных примесей туннелирования, разрастания вуют заданным по (промежуточный) контроль (при микросхем кристаллитов, например, алюминия, и др., приво- техническим усло- изготовлении структуры ИС или дящих к утечкам тока в диэлектриках и р-n пере- виям БИС) по тестовым элементам мик- ходах, к проколу р-n переходов, разрывам развод- росхемы, на которых измеряют ки в элементах, повышению контактного сопро- ВАХ с применением измерительных тивления, коротким замыканиям между уровнями установок, оборудованных специ- альными зондовыми головками. По металлизации и др. Появление структурных дефектов в виду ВАХ можно не только выяв- полупроводнике в результате влияния градиентов темпе- лять и классифицировать дефекты, ратуры и механических напряжений, что приводит к по- но и судить о настроенности и отра- явлению дополнительных энергетических уровней в запре- ботанности всего технологического щенной зоне и соответственно к неуправляемому измене- процесса изготовления нию проводи мости, времен и жизни, генерации и ре- комбинации носителей заряда Приложение 5.

Конструктивно-технологические ограничения при конструировании ИМС на биполярных транзисторах, выполненных по планарно-эпитаксиальной технологии с использованием изоляции р -n переходом Таблица ПМинимально допустимые размеры, мкм Ширина линии скрайбирования слоя................................. Расстояние от центра скрайбирующей полосы до края слоя металлизации или до края диффузионной области.......... 50- Размер контактных площадок для термокомпрессионной приварки проводников d1......................................................... 100xРасстояние между контактными площадками d2................................................

Размер контактных площадок тестовых элементов рабочей схемы....................................................................................... 50xШирина проводника d3:

при длине 50 мкм....................................................................при длине 50 мкм.................................................................. Расстояние между проводниками d4:

при длине 50 мкм.....................................................................при длине 50 мкм...............................................................Ширина области разделительной диффузии d5........................................................Расстояние от базы до области разделительной диффу зии d6.. Расстояние между краем области подлегирования коллекторного контакта и краем разделительной области d7............................................................................... Расстояние+ между краем разделительной области и краем скрытого n -слоя d8................................................................... Расстояние между краем контактного окна в окисле к коллектору и краем базы d9....................................................... Расстояние между краем контактного окна в окисле к базе и краем базы d1.................................................................. Расстояние между эмиттерной и базовой областями d1.......................Расстояние между краем контактного окна в окисле к эмиттеру и краем эмиттера d1........................................................................................................Расстояние между контактным окном к базе и эмиттером d13........................................................................ Расстояние между базовыми областями, сформированными в одном коллекторе................................................................. Расстояние между эмиттерными областями, сформированными в одной базе............................................. Расстояние между контактны м окном к коллектору и областью разделительной диффузии d14........................................................................Размеры контактного окна к базе d1........................................................................................4xРазмеры контактного окна к эмиттеру d16...........................................................................4 х 4 или 3xШирина области подлегирования n+- слоя в коллектореd17............................................................................... Ширина контактного окна к коллектору d18.......................................................................Ширина резистора d19......................................................................................................................................Размеры окна вскрытия в окисле................................................... 2,5x2,Перекрытие металлизацией контактных окон в окисле к элементам ИМС d20..............................................................................................................................................Расстояние от края контактного окна к р+- разделительным областям для подачи смещения до края области разделения d21....................Расстояние от края контактного окна к изолированным областям n-типа для подачи смещения до края области разделения d22......................................................................................................................................Ширина диффузионной перемычки................................................ Размер окна в пассивирующем окисле d23................................................................................100xРасстояние от края окна в пассивации до края контактной площадки d24.................................................................................Расстояние между соседними резисторами d25....................................................................Расстояние между диффузионными и ионно-легированными резисторами.................................................................................. Расстояние между контактной площадкой и проводящей дорожкой d26......................................................................................................................................................................Ширина скрытого n+- слоя.............................................................Расстояние между контактными площадками тестовых элементов.....................................................................................Приложение Типичные характеристики интегральных полупроводниковых резисторов Таблица ПТип резистора Толщина, ТКС, Удельное Погрешность Удельная паразитная мкм, град-поверхностное номинала R емкость Соп, электрическое сопротивления пф/ммсопротивление R, % Ps, Ом/ 1. Диффузионный 2,5 - 3,5 100 - 300 ±(0,5-3)10-3 150-±(10-2 0) на базовом слое 2. Диффузионный 1,5-2,5 2-5 ±(10- 20) ±(1-5)10-3 (1-1,5)на эмиттерном слое 3. Пинч-резистор 0,5-1,0 (2-15)103 ±50 ±(1,5-3)10-3 (1-1,5)4. На эпитаксиальном 7-10 (0,5-5)-103 ±(15-2 5) ±(2-4)10-3 80-слое 5. Ионно- легированный 0,1-,2 (0,5-1)103 ±(15- 20) ±(1,5-5)10-3 200 - р-типа Б ИБ ЛИОГРАФИЧЕСК ИЙ СПИСОК 1. Конструирование и технология микросхем, курсовое проектирование/ Под ред. Л.А. Коледова. - М: Высш. шк, 2. Матсон Э.А. Конструирование и технология микросхем. - Минск: Высш.

шк, 3. Матсон Э.А.,Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструирова- нию микросхем. - Минск: Высш. шк, 1982.

4. Алексеенко А.Г., Шадрин И.И. Микросхемотехника. - М.: Радио и связь, 1990.

5. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование микросхем.

- М.: Радио и связь, 1983.

6. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. - М.:

Радио и связь, 1983.

7. Коледов Л.А., Патрик Н.И. Конструирование и технология полупровод- никовых ИМС на биполярных транзисторах. Уч. пособие. - М.: Изд-во МИЭТ, 1983, 8. Симонов Б.М., Заводян А.В., Грушевский A.M. Конструкторско - техно- логические аспекты разработки ИС и микросборок. Уч. пособие. - М.:

Изд-во МИЭТ, 1998.

Учебное издание РОМАНОВА Маргарита Петровна Проектирование и технология микросхем Учебное пособие Подписано в печать 27.10. 2005. Формат 60 х 84/16.

Бумага офсетная. Печать трафаретная. Усл. печ. л. 5,12.

Уч.- изд. л. 5,00. Тираж 150 экз. Заказ 1071, Ульяновский государственный технический университет 432 027 г. Ульяновск, ул. Сев. Венец, д. 32.

Типография УлГТУ, 432027, г. Ульяновск, ул. Сев. Венец, д. 32.

Pages:     | 1 |   ...   | 6 | 7 ||










© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.