WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!


Pages:     | 1 |   ...   | 25 | 26 ||

7. Вычислить дозу облучения, необходимую для создания максимальной концентрации примеси фосфора 1015 см-3 в германии.

8. Вычислить энергию ионов, необходимую для создания максимальной концентрации примеси фосфора 1015 см-3 в германии на глубине 0,2 мкм.

9. Оценить размеры системы сепарации ионов, если в ионном потоке имеются одно и двухзарядные ионы бора, ионы атомов и молекул азота при энергии пучка 50 кэВ и индукции магнитного для 10-2 Тл.

10. Определить температуру образца кремния толщиной 0,4 мкм при бомбардировке ионами фосфора с энергией 50 кэВ и плотностью тока в пучке 1 мА/см2, если пластина расположена на идеально теплоотводящем контакте.

11. Решить предыдущую задачу для ситуации, когда тепловой контакт между пластиной и подложкодержателем отсутствует.

12. Оценить минимальный диаметр пучка ионов аргона в установке ионнолучевой литографии, если яркость пучка составляет 100 А/м2ср и ток 1 мА.

13. Решить предыдущую задачу для ионов галлия при яркости источника А/см2ср.

14. Провести анализ влияния массы бомбардирующего иона на пороговую энергию распыления титана при ионной бомбардировке.

15. Рассчитать и проанализировать зависимость коэффициента распыления меди от энергии ионов аргона в диапазоне от пороговой до 1000 эВ.

16. Вычислить и проанализировать зависимость отношения коэффициентов конденсации и распыления меди в зависимости от давления газа при распылении в среде аргона. Расстояние от мишени до подложки составляет 10 см.

17. Определить для условий предыдущей задачи максимальное давление, при котором эффектом рассеяния распыленных атомов можно пренебречь.

18. Вычислить эквивалентное давление, соответствующее магнетронному распылению титана в аргоне при давлении 0,01 Па и индукции магнитного поля 0,02 Тл.

19. Оценить амплитуду колебаний электронов в поле высокой частоты (13,МГц) напряженностью 100 В/см при разряде в аргоне при давлении 1 Па.

20. Оценить максимальное давление остаточных газов в ионно-лучевой установке, если расстояние от ионного источника до мишени составляет 100 см.

21. Провести анализ процесса и предложить технологические режимы для:

а) легирования кремния ионами бора;

б) легирования арсенида галлия ионами цинка;

в) создания изоляционного слоя толщиной 0,5 мкм при протонной бомбардировке;

г) ионно-лучевой литографии (резист ПММА, разрешение 0,8 мкм);

д) ионного синтеза слоя нитрида титана на титане толщиной 0,2 мкм и площадью 1 см2;

е) ионно-химического травления кремния на глубину 1 мкм;

ж) процесса напыления пленки ниобия на стекло методом магнетронного распыления;

з) вакуумно-дугового нанесения слоя нитрида титана толщиной 5 мкм на поверхность стальной детали.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 1. Звелто О. Физика лазеров/ Пер. с англ. под ред. Т.А. Ш маонова.- М.: Мир, 1979.-375 с.

2. Дьюли У. Лазерная технология и анализ материалов: Пер. с англ.- М.: Мир, 1986.-504 с.

3. Степанов Б.И. Лазеры сегодня и завтра.- Минск: Наука и техника, 1987.127 с.

4. Мэйтлэнд А., Данн М. Введение в физику лазеров/Под ред. С. И.

Анисимова.- М.: Наука, 1978.-408 с.

5. Крылов К.И. и др. Основы лазерной техники. Л.: Машиностроение, 1990.- 316 с.

6. Уинстон Е. Лазеры и голография. М.: Мир, 1971.-120 с.

7. Справочник по лазерной технике. Пер. с нем./Под редакцией Напортовича А.П.-М.: Энергоатомиздат, 1991.-544 с.

8. Справочник по лазерам: В 2-х т./ Под ред.Прохорова А.М.-М.: Сов. радио, 1978.- Т.1, 1978.-504 с.

9. Курносов А.И. Способы получения эпитаксиальных плёнок. М.: Высш.

шк., 1974.-368 с.

10. Лазерная техника и технология: В 7 кн. Учебное пособие для втузов/ Под ред. А.Г. Григорьянца.-М.: Высш. шк., 1988. Кн. 5: Лазерная сварка металлов/ А.Г. Григорьянц., И.Н. Ш иганов.- 1988.-207 с. Кн. 7: Лазерная резка металлов/ А.Г. Григорьянц., А.А. Соколов.- 1988.-127 с.

11. Рабкин И.В.,Сурменко Л.А. Лазерная сварка в технологии электронных приборов : Обзоры по электронной технике. 1985-Вып.2.

12. Лазерная технология в приборостроении и точном машиностроении.

Труды ВНИТИ прибора МНПО "Темы" Вып.3.-М.: Машиностроение, 1980.- 159 с.

13. Самаркин Ю.Д., Сурменко Л.А.. Лазерная пайка в производстве изделий электронной техники: Обзоры по электронной технике. 1986-Вып.3.

14. Применение лазеров в машиностроении и приборостроении. К.И.Крылов и др. 1978.

15. Лазерная техника и технология: В 7 кн. Учебное пособие для втузов/ Под ред. А.Г. Григорьянца.-М.: Высш. шк., 1988. Кн. 4: Лазерная обработка неметаллических материалов./ А.Г. Григорьянц., А.А. Соколов.- 1988.191 с.

16. Вейко В.П. Лазерная обработка плёночных элементов.-Л.:

Машиностроение, 1986.-248 с.

17. Лазеры в технологии/ Под ред.М.Ф.Стельмаха.-М.: Энергия, 1975.-216 с.

18. Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии. М.,Высшая школа, 1988 г.

19. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М.,Энергоатомиздат, 1989 г.

20. Валиев К.А., Раков А.В. Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике. М., Радио и связь, 1984 г.

21. Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов: Справочник/ Рыкалин Н.Н., Углов А.А., Зуев И.В., Кокора А.Н.- М.: Машиностроение, 1985.-496 с.

22. Соколова Т.Н., Сурменко Л.А. Лазерная размерная обработка материалов, применяемых в электронной технике. Обзоры по электронной технике, серия 7, вып.1 (1161), 1986 г.,72 с.



23. Сурменко Л.А., Соколова Т.Н. и др. Лазерная функциональная подгонка элементов и узлов изделий электронной техники. Обзоры по электронной технике, серия 7, вып.13 (1299), 1987г., 64 с.

24. Готра З.Ю., Осередько С.А. Управление свойствами поверхностных слоев в технологии микроэлектроники с помощью лазерного излучения.

Зарубежная электронная техника, № 12, 1985 г., с.3 - 52.

25. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии: Учеб. Пособие для спец. Электронной техники вузов.-М.: Высш. шк., 1984.-320 с.

26. Вендик О.Г., Горин Ю.Н., Попов В.Ф. Корпускулярно-фотонная технология: Учеб. Пособие для вузов по спец. «Промышленная электроника».-М.: Высш. шк., 1984.-240 с.

ОГЛАВЛЕНИЕ ПРЕДИСЛОВИЕ..................................................................................................... ВВЕДЕНИЕ.............................................................................................................. ГЛАВА 1. ФИЗИКА ЛАЗЕРОВ. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ЛАЗЕРЫ.................. 1.1. Введение........................................................................................................ 1.2. Физические основы генерации лазерного излучения............................... 1.3. Устройство и принципы работы лазеров................................................... 1.3.1. Рабочее вещество................................................................................... 1.3.2. Создание инверсии............................................................................... 1.3.3. Условия самовозбуждения и насыщения усиления.......................... 1.3.4. Оптические резонаторы....................................................................... 1.3.5. Импульсная генерация, модуляция добротности и синхронизация мод............................................................................................................ 1.4. Свойства лазерного излучения.................................................................. 1.4.1. Монохроматичность............................................................................. 1.4.2. Когерентность....................................................................................... 1.4.3. Направленность и возможность фокусирования излучения........... 1.4.4. Яркость и мощность излучения.......................................................... 1.5. Типы лазеров............................................................................................... 1.5.1. Твердотельные лазеры......................................................................... 1.5.2. Газовые лазеры..................................................................................... 1.5.3. Полупроводниковые лазеры............................................................... 1.5.4. Лазеры на красителях.......................................................................... 1.6. Заключение.................................................................................................. ГЛАВА 2. ЛАЗЕРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ............................................................. 2.1. Теоретические основы лазерной технологии.......................................... 2.1.1. Поглощение и отражение лазерного излучения твердым телом..... 2.1.2. Нагревание материала без плавления................................................ 2.1.3. Нагрев с изменением фазового состояния......................................... 2.2. Термические лазерные технологии........................................................... 2.2.1. Лазерные технологические установки............................................... 2.2.2. Термическая обработка и закалка....................................................... 2.2.3 Лазерная пайка....................................................................................... 2.2.4 Лазерная сварка..................................................................................... 2.2.5 Лазерная резка....................................................................................... 2.2.6. Прошивка отверстий............................................................................ 2.2.7. Размерная обработка материалов и получение пленок.................... 2.3. Лазерные микротехнологии....................................................................... 2.4. Лазерное осаждение тонких плёнок......................................................... 2.5. Применение лазеров в химической технологии...................................... 2.6. Применение лазеров в измерительной технике и химическом анализеГлава 3. ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ И ТЕХНОЛОГИИ............................. 3.1. Общая характеристика и особенности электронно-лучевых технологий3.2. Физические основы взаимодействия электронов с веществом............. 3.2.1. Процессы, происходящие при бомбардировке вещества электронами, и возможности их использования в технологии.......... 3.2.2. Движение ускоренных электронов в твердом теле.......................... 3.2.3. Тепловые эффекты при взаимодействии ускоренных электронов с твердым телом......................................................................................... 3.3. Электронно-лучевые установки................................................................ 3.3.1. Общие принципы построения электронно-лучевых установок...... 3.3.2. Источники электронов......................................................................... 3.3.3. Электронные пушки............................................................................. 3.3.4. Система обеспечения вакуума............................................................ 3.3.5. Система сканирования......................................................................... 3.4. Термические электронные процессы и технологии................................ 3.4.1. Электронно-лучевое испарение материалов (ЭЛИ)......................... 3.4.2. Нанесение покрытий из сплавов и химических соединений........... 3.4.3. Обработка несфокусированным пучком............................................ 3.4.4. Электронно-лучевая обработка.......................................................... 3.4.5. Термическая размерная электронно-лучевая обработка................ 3.4.6. Размерная обработка массивных образцов...................................... 3.4.7. Размерная обработка тонких слоев.................................................. 3.5. Нетермические электронные процессы и технологии.......................... 3.5.1. Реакции, индуцированные радикалами........................................... 3.5.2. Электронно-стимулированное травление........................................ 3.5.3. Электронно-лучевая литография - возможности, оборудование, технология, перспективы..................................................................... 3.6. Электронно-зондовые методы анализа веществ................................... 3.6.1. Вторично-эмиссионная и просвечивающая электронная микроскопия.......................................................................................... 3.6.2. Рентгеновский спектральный микроанализ (РСМА)..................... 3.6.3. Электронная оже-спектроскопия...................................................... 3.6.4. Дифракция медленных и быстрых электронов............................... ГЛАВА 4. ИОННЫЕ И ИОННО-ЛУЧЕВЫЕ ПРОЦЕССЫ И ТЕХНОЛОГИИ4.1. Введение.................................................................................................... 4.2. Физические основы взаимодействия ионов с веществом.................... 4.2.1. Движение ускоренных ионов в веществе........................................ 4.2.2. Пробеги ионов в твердом теле и их распределение....................... 4.2.3. Взаимодействие ионов с монокристаллами, каналирование......... 4.2.4. Образование радиационных дефектов при ионной бомбардировке, отжиг радиационных дефектов........................................................... 4.2.5. Изменение электрических свойств твердых тел при ионной бомбардировке...................................................................................... 4.3. Ионно-лучевые установки....................................................................... 4.3.1. Источники ионов................................................................................ 4.3.2. Система вытягивания и ускорения ионов........................................ 4.3.3. Система сепарации ионов.................................................................. 4.3.4. Системы фокусировки и сканирования........................................... 4.3.5. Вакуумные системы, приемные камеры, устройства контроля.... 4.4. Ионное легирование материалов............................................................ 4.4.1. Особенности технологии ионного легирования............................. 4.4.2. Установки для ионного легирования............................................... 4.5. Технология ионного легирования........................................................... 4.6. Ионно-лучевая литография...................................................................... 4.6.1. Ионно-лучевая литография высокомолекулярных органических резистов.................................................................................................. 4.6.2. Ионно-лучевая литография неорганических твердых слоев......... 4.7. Модификация твердого тела при ионной бомбардировке................... 4.7.1. Структурные превращения при ионной бомбардировке............... 4.7.2. Ионный синтез, ионная металлургия, ионная эпитаксия............... 4.8. Ионное распыление материалов............................................................. 4.8.1. Физика процессов распыления материалов при ионной бомбардировке...................................................................................... 4.8.2. Ионное травление поверхности........................................................ 4.8.3. Ионно-лучевые методы осаждения покрытий................................ 4.8.4. Ионное распыление и получение тонких пленок........................... 4.8.5. Оборудование ионного распыления................................................. 4.8.6. Получение пленок сложного состава............................................... 4.6.7. Технология и оборудование магнетронного распыления.............. 4.8.8. Высокочастотное распыление........................................................... 4.9.9. Принципы вч-распыления................................................................. 4.8.10. Вакуумно-дуговое осаждение покрытий из плазмы материала электродов.............................................................................................. 4.9. Ионные и ионно-лучевые методы исследования и контроля поверхности твердого тела............................................................................. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ................................................................................... ОГЛАВЛЕНИЕ..........................................................................................................................Редактор О.А. Соловьева Лицензия ЛР №020459 от 10.04.97. Подписано в печать 25.09.00. Формат 6084 1/16.

Pages:     | 1 |   ...   | 25 | 26 ||










© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.